非易失性存储器方兴未艾
现有的存储器技术遇到了发展瓶颈。对更高密度、更低延迟和更低功耗的需求正在推动新型非易失性存储器的应用。据市场研究公司Yole预计，新型非易失性存储器的市场正快速增长，到2025年预计将达到62亿美元。随着人工智能不断向边缘发展，功耗正成为一个决定性标准。“人工智能、物联网、大数据和5G的兴起需要先进的下一代存储器，这些存储器必须能够实现高速度和超低功耗，同时兼容领先的CMOS生产流程，以降低制造成本”，铁电存储器公司FMC的首席执行官Ali Pourkeramati说道。
在未来几年，不断发展的人工智能和5G技术将为存储器市场带来巨大机遇，并加速该市场增长。随着新兴技术在中国的迅速普及，中国将在未来发挥重要作用，并为快速增长的半导体需求做出巨大贡献。国际市场研究机构（ResearchAndMarkets）的最新报告显示，到2025年，中国将投资超过1000亿美元用于扩张半导体产业版图，其中对半导体存储器的投资将超过200亿美元。
铁电存储器公司FMC已经在非易失性存储器技术的开发方面取得了重大进展，有望提供比新一代存储器解决方案更加优越的性能。目前，该公司正与全球主要的半导体公司以及美国、欧洲和亚洲的代工厂展开密切合作。完成B轮融资将加速铁电存储器公司FMC的FeFET（铁电场效应晶体管）和FeCAP（铁电体电容器）技术的商业化，并将这些技术推向人工智能、物联网和数据中心等呈指数级增长的市场。
将标准晶体管和电容器转变为非易失性存储器
铁电存储器公司的专利技术可以简化二氧化铪（HfO2）向铁电存储单元的转变。这意味着每个标准的CMOS晶体管和电容器都可以成为一个非易失性存储器单元，如FeFET或FeCAP。铁电存储器公司FMC的存储器技术利用了二氧化铪结晶的铁电特性，将非晶态的二氧化铪作为每个CMOS晶体管从平面结构到FinFET（鳍式场效应晶体管）的栅极隔离器材料。该公司的FeFET技术除了具有高速度、超低功耗、与CMOS兼容、低制造成本以及极端温度稳定性外，还具有完全抗磁性和高抗辐射性。FeFETs和FeCAPs可以将现有设备集成到CMOS的生产线中，无需额外的资本投入。
世界一流的团队和投资者
铁电存储器公司FMC的管理团队在半导体和存储器行业拥有丰富的经验，被公认为铁电存储领域的一流团队之一。领投方M Ventures和imec.xpand以及跟投的博世创投、SK海力士（SK Hynix）、TEL Ventures等新一批投资者将与已有投资者易凯资本（eCapital）携手，共同支持铁电存储器公司FMC在半导体全价值链中的发展，并助力该公司将先进的铁电存储器技术推向市场。
